12月23日中关村光电产业协会组织召开了《MEMS高深宽比结构深度测量方法 光谱反射法》团体标准审查会，来自中国科学院、东南大学、审评中心、北京中国科学院老专家技术中心等单位的专家以及标准编写组成员和相关单位参加了线上及线下会议。
与会专家听取了《MEMS高深宽比结构深度测量方法 光谱反射法》（送审稿）的编制情况汇报，并对标准送审稿进行了审查，审查意见如下：
一、该标准制定过程符合规定的程序，形成的文本符合GB/T 1.1的要求以及相关的有关规定。
二、随着MEMS刻蚀工艺技术与应用水平的不断提高，高深宽比微沟槽结构因其具有狭窄而垂直的空气间隙和较大的比表面积，能显著提高电荷存储能力，增加叉指电容和传感器的灵敏度，在梳齿状微电极阵列、超级电容器、加速度传感器、陀螺、光栅和微纳谐振器等领域具有广泛应用。为提高MEMS 沟槽或孔的制造质量并确保器件产率，随着高深宽比结构深度的光谱反射测量研究的深入和测量仪器的开发，在调研基础上，制定MEMS高深宽比结构深度光谱反射测量方法标准。
三、该标准规定了被测高深宽比结构深度的定义，测量方法和测量机理，基本测量条件要求，深度测量和测量步骤，以及不确定度分析等，将有利于帮助用户选择和使用高深宽比结构深度测量仪器，以及指导在这类仪器上进行高深宽比结构单沟槽、柱、孔或阵列沟槽、孔、柱的深度测量。标准结构完整，内容详实、具有适用性和可操作性。
四、该标准符合国家法律法规的规定，与相关国家、行业等标准相协调，不涉及专利和公平性竞争相关问题。
五、专家组对标准提出了以下主要修改意见：
1．增加相关规范性引用文件；
2．增加有关术语和定义；
3．明确测量设备要求；
4. 明确测量环境要求；
5. 明确单体和阵列结构测量位置的选择；
6. 完善B类测量不确定分量及其评定方法。
专家组一致同意《MEMS高深宽比结构深度测量方法 光谱反射法》通过审查，建议标准编制组根据专家意见进行修改后，尽快报批。